सिलिकॉन कार्बाइड ट्रे
अनुप्रयोग: एलईडी वेफर कोर के लिए एपिटैक्सियल परत पतली फिल्म सामग्री (GaN, SiO2, आदि) के लिए आईसीपी नक़्क़ाशी प्रक्रिया, सटीक सिरेमिक भागों का उपयोग करके अर्धचालक प्रसार, और अर्धचालक वेफर्स के लिए एमओसीवीडी एपिटैक्सियल प्रक्रिया। सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक ट्रे उच्च शुद्धता, बिना दबाव वाले सिंटर्ड सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक सामग्री से बने होते हैं, जिसमें उच्च कठोरता, पहनने के प्रतिरोध, उच्च तापीय चालकता, उच्च तापमान यांत्रिक स्थिरता और संक्षारण प्रतिरोध के साथ-साथ उच्च परिशुद्धता और एकरूपता के फायदे होते हैं। वेफर एपिटैक्सियल परत नक़्क़ाशी की।
विवरण
अन्य प्रकार की ट्रे की तुलना में SiC ट्रे के कई फायदे हैं। सबसे पहले, उनकी उच्च तापीय चालकता उन्हें ताप उपचार प्रक्रियाओं, जैसे सिंटरिंग और ब्रेजिंग के लिए आदर्श बनाती है। वे बिना विकृत या ख़राब हुए 1650 डिग्री तक तापमान का सामना कर सकते हैं, जिसका अर्थ है कि उनका उपयोग कठोर वातावरण में किया जा सकता है जहां अन्य सामग्रियां विफल हो जाएंगी।
दूसरे, सिलिकॉन कार्बाइड ट्रे रासायनिक रूप से निष्क्रिय हैं और एसिड, बेस और लवण सहित अधिकांश रसायनों के साथ प्रतिक्रिया नहीं करते हैं। यह विशेषता उन्हें रासायनिक और दवा उद्योगों में उपयोग के लिए आदर्श बनाती है, जहां अक्सर कठोर रसायनों का उपयोग किया जाता है।
तीसरा, SiC ट्रे अत्यधिक घर्षण-प्रतिरोधी हैं और इनमें थर्मल विस्तार का गुणांक कम है। यह उन्हें उच्च तापमान भट्टी अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए आदर्श बनाता है जहां भागों को अच्छी तरह से फिट होने की आवश्यकता होती है और थर्मल परिवर्तनों के कारण विस्तार या अनुबंध नहीं होता है।
